Овечкин Юрий Алексеевич (радиотехника)

Ⓐ ⒸОвечкин Ю.А. Микроэлектроника. [Djv-Fax- 7.4M] [Pdf-Fax- 8.3M] Учебник для техникумов. Автор: Юрий Алексеевич Овечкин.
(Москва: Издательство «Радио и связь»: Редакция литературы по электронной технике, 1982)
Скан: AAW, обработка, формат Djv-Fax: pohorsky, 2011

КРАТКОЕ ОГЛАВЛЕНИЕ:
Предисловие (3).
Введение (4).
Глава 1. Технологические процессы изготовления интегральных микросхем (11).
Глава 2. Полупроводниковые интегральные микросхемы (24).
Глава 3. Гибридные интегральные микросхемы (78).
Глава 4. Сборка интегральных микросхем. Конструктивное исполнение (110).
Глава 5. Цифровые интегральные микросхемы (120).
Глава 6. Аналоговые интегральные микросхемы (168).
Глава 7. Большие интегральные схемы (180).
Глава 8. Микропроцессоры (195).
Глава 9. БИС запоминающих устройств (224).
Глава 10. Функциональная микроэлектроника (252).
Глава 11. Надежность. Испытание микросхем (261).
Заключение (275).
Приложение (281).
Список литературы (283).

ИЗ ИЗДАНИЯ: Рассматриваются характеристики и параметры различных классов цифровых и аналоговых интегральных микросхем; излагаются методы изготовления полупроводниковых и гибридных интегральных микросхем; даются методы сборки и их конструкции. Обсуждаются вопросы надежности и особенности испытаний ИС. Приводятся сведения по перспективным направлениям микроэлектроники: БИС, микропроцессорам, функциональной электронике.
Для учащихся техникумов по специальности «Электронные вычислительные машины, приборы и устройства». Может быть полезен учащимся радиотехнических специальностей техникумов.

▼

▲

Ⓐ ⒸОвечкин Ю.А. Полупроводниковые приборы. [Djv-Fax-15.5M] [Pdf-Fax-21.2M] Учебник для радиотехнических специальностей техникумов. 3-е издание, переработанное и дополненное. Автор: Юрий Алексеевич Овечкин.
(Москва: Издательство «Высшая школа», 1986)
Скан: AAW, обработка, формат Pdf-Fax: fire_varan, 2024

ОГЛАВЛЕНИЕ:
Предисловие (3).
Введение (4).
Глава 1. Полупроводники и их физические свойства (8).
§1.1. Собственный полупроводник (8).
§1.2. Примесный полупроводник (12).
§1.3. Диффузионный ток в полупроводниках (16).
Глава 2. Электронно-дырочный переход (17).
§2.1. Вольт-амперная характеристика электронно-дырочного перехода (17).
§2.2. Инжекция неосновных носителей заряда. Диффузионная емкость (22).
§2.3. Зарядная емкость p-n-перехода (25).
§2.4. Пробой p-n-перехода (25).
§2.5. Контакт металл - полупроводник. Переход Шоттки (26).
Глава 3. Полупроводниковые диоды (30).
§3.1. Устройство полупроводниковых диодов (30).
§3.2. Основные характеристики и параметры диодов (33).
§3.3. Выпрямительные диоды (37).
§3.4. Импульсные диоды (38).
§3.5. Высокочастотные диоды (41).
§3.6. Детекторные СВЧ-диоды (41).
§3.7. Смесительные СВЧ-диоды (44).
§3.8. Переключательные СВЧ-диоды (45).
§3.9. Стабилитроны (49).
§3.10. Варикапы (50).
§3.11. Туннельные диоды (52).
§3.12. Обращенные диоды (57).
§3.13. Лавинно-пролетные диоды (58).
§3.14. Диоды Ганна (64).
Глава 4. Биполярные транзисторы (68).
§4.1. Устройство и принцип действия биполярных транзисторов (68).
§4.2. Схемы включения транзисторов (71).
§4.3. Статические характеристики транзисторов (73).
§4.4. Рабочий режим транзисторов (79).
§4.5. Эквивалентные схемы транзисторов (82).
§4.6. Частотные свойства транзисторов (86).
§4.7. Импульсные свойства транзисторов (89).
§4.8. Параметры предельных режимов работы транзистора и влияние температуры на его параметры (93).
§4.9. Основные типы транзисторов (96).
§4.10. Высокочастотные и сверхвысокочастотные транзисторы (100).
§4.11. Высоковольтные транзисторы (105).
§4.12. Мощные транзисторы (108).
§4.13. Лавинные транзисторы (117).
§4.14. Однопереходные транзисторы (121).
Глава 5. Тиристоры (124).
§5.1. Принцип работы тиристора (124).
§5.2. Параметры тиристоров (129).
§5.3. Конструирование и изготовление тиристоров (130).
§5.4. Симметричный триодный тиристор (132).
Глава 6. Полевые транзисторы (136).
§6.1. Принцип действия полевого транзистора (136).
§6.2. Эквивалентная схема, параметры и характеристики полевых транзисторов (139).
§6.3. Конструкции полевых транзисторов (141).
Глава 7. Варисторы (142).
Глава 8. Термоэлектрические полупроводниковые приборы (146).
§8.1. Термоэлектрогенераторы (146).
§8.2. Термоэлектрические батареи (149).
§8.3. Терморезисторы (155).
§8.4. Полупроводниковые болометры (164).
Глава 9. Элементы оптоэлектроники (166).
§9.1. Полупроводниковые фотоэлектрические приемники излучения. Фоторезисторы (166).
§9.2. Фотогальванические приемники излучения (173).
§9.3. Фотодиоды (181).
§9.4. Фототранзисторы (188).
§9.5. Фототиристоры (194).
§9.6. Светоизлучающие диоды (198).
§9.7. Оптроны (202).
Глава 10. Магнитоэлектрические полупроводниковые приборы (210).
§10.1. Датчики Холла (210).
§10.2. Магниторезисторы (216).
§10.3. Магнитодиоды (220).
Глава 11. Полупроводниковые тензометры (224).
§11.1. Тензорезисторы (224).
§11.2. Тензодиоды (226).
§11.3. Тензотранзисторы (228).
§11.4. Тензотиристоры (230).
Глава 12. Интегральные микросхемы (231).
§12.1. Общие сведения (231).
§12.2. Полупроводниковые интегральные микросхемы (234).
§12.3. Гибридные интегральные микросхемы (254).
§12.4. Совмещенные интегральные микросхемы (269).
§12.5. Большие интегральные микросхемы (270).
§12.6. Функциональная электроника (278).
Глава 13. Надежность полупроводниковых приборов и интегральных микросхем (284).
§13.1. Надежность полупроводниковых приборов (284).
§13.2. Надежность микросхем (287).
Заключение (290).
Приложение (292).
Литература (296).
Условные обозначения основных физических величин, принятые в книге (297).
Предметный указатель (299).

ИЗ ИЗДАНИЯ: В книге рассмотрены принципы работы, устройство, основные параметры и технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. 3-е издание (2-е - 1979 г.) переработано с учетом последних достижений в области физики, химии и технологии изготовления полупроводниковых приборов; в него включены материалы по микросборкам, новым полупроводниковым приборам и микросхемам.

▼

▲

Ⓐ ⒸОвечкин Ю.А... Рекомендации по применению полупроводниковых приборов. [Djv-Fax- 729k] [Pdf-Fax- 800k] Авторы: Юрий Алексеевич Овечкин, Анатолий Михайлович Савченко, Николай Николаевич Смирнов.
(Москва: Издательство ДОСААФ, 1966)
Скан, обработка, формат Djv-Fax: A.T.Microchip Co., 2005

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ:
Введение (3).
Основные типы и конструкции диодов и транзисторов (5).
Классификация и система обозначения диодов и транзисторов (9).
Основные характеристики и параметры диодов и транзисторов (14).
Проектирование схем с полупроводниковыми приборами (31).
Рекомендации по проектированию некоторых схем (63).
Правила конструирования и эксплуатации схем с полупроводниковыми приборами (73).
Приложение (76).

ИЗ ИЗДАНИЯ: ...